أفاد تقرير جديد بأن "سامسونغ" لديها الآن الحافز لبذل قصارى جهدها لتطوير الجيل القادم من شرائح ذاكرة الوصول العشوائي (RAM) التي ستستخدم معيار LPDDR6.

وما يحفز "سامسونغ" على تسريع تطوير الجيل القادم من شرائح ذاكرة الوصول العشوائي هو خبر انتهاء شركة تكنولوجيا الذاكرة المبتكرة الصينية (CXMT) من تطوير شريحة LPDDR5X.

ونتيجة لذلك، تُقلص "CXMT" الفارق الذي تتفوق به "سامسونغ" عليها في مجال شرائح ذاكرة الوصول العشوائي، بحسب تقرير نشره موقع "phonearena" واطلعت عليه "العربية Business".

شركة TSMC تلعب لعبة قاسية مع إدارة ترامب بشأن الرسوم المحتملة على أشباه الموصلات

زوايا تقنية

أميركا وترامبشركة TSMC تلعب لعبة قاسية مع إدارة ترامب بشأن الرسوم المحتملة على أشباه الموصلات

واستشهد التقرير، بمقالٍ نُشر في صحيفة "بيزنس بوست" الكورية الجنوبية يفيد بأن شركة CXMT تُخطط بالفعل لتطوير شرائح ذاكرة الوصول العشوائي LPDDR6 هذا العام، على أن تبدأ تصنيعها مطلع العام المقبل.

وفي ظل هذا التحدي، قررت "سامسونغ" تسريع تطوير شرائح ذاكرة الوصول العشوائي LPDDR6 الخاصة بها، والتي ستُبنى على عملية 1c DRAM المُتقدمة من Samsung Foundry.

وتُعتبر عملية "1c" في الواقع الجيل السادس، بينما تُعتبر عملية "1x" هي الأولى، ويُؤدي كل جيل إلى تحسينات في الأداء وكفاءة الطاقة.

لدى "سامسونغ" بالفعل عميل محتمل لشرائح ذاكرة الوصول العشوائي LPDDR6، إذ أفادت التقارير أن "كوالكوم" ستدعم شريحة الذاكرة الجديدة بمعالجها الرائد القادم Snapdragon 8 Elite 2.

هذا هو النظام على الشريحة (SoC) الذي سيُشغّل هاتف "سامسونغ" غالاكسي S26 ألترا في جميع المناطق مطلع العام المقبل.

ستُصنّعه شركة TSMC باستخدام عقدة 3 نانومتر من الجيل الثالث (N3P)، وبالطبع، تتوقع "سامسونغ" بيع شرائح ذاكرة الوصول العشوائي LPDDR6 لعدد أكبر من العملاء.

ربما ضغطت شركة CXMT على "سامسونغ" للمضي قدمًا في الجيل التالي من ذاكرة الوصول العشوائي (RAM) بسرعة أكبر مما كان يمكن أن تكون عليه لولا ذلك.

بناءً على التقارير الصادرة في أواخر العام الماضي وأوائل هذا العام، تمتلك شركة CXMT نحو 5% فقط من سوق ذاكرة الوصول العشوائي العالمية.

شركة SK Hynix الكورية الجنوبية هي الرائدة بعد أن تفوقت على "سامسونغ" بحوالي 36٪ من سوق ذاكرة الوصول العشوائي العالمية.

وتأتي "سامسونغ" في المرتبة التالية بحصة سوقية تتراوح بين 33.7٪ و 34.4٪.

هذا يترك لشركة Micron Technology حصتها البالغة 24.3٪ - 25٪ من فطيرة ذاكرة الوصول العشوائي العالمية.

تم تصنيع شريحة ذاكرة الوصول العشوائي LPDDR5X التي صنعتها "سامسونغ" والمستخدمة في هاتف Samsung Galaxy S25 Ultra لكل من متغيرات 12 غيغابايت و 16 غيغابايت على عقدة معالجة 12 نانومتر من Samsung Foundry.

تم تصنيع الإصدارات السابقة من شريحة ذاكرة الوصول العشوائي LPDDR5X من "سامسونغ"، مثل تلك المستخدمة في هاتف Galaxy S23 Ultra، بواسطة مصنع "سامسونغ" باستخدام عقدة معالجة 14 نانومتر.

الحقيقة الدولية – وكالات